一種寬工作電壓的CMOS射頻放大器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110289558.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112953416A 公開（公告）日 2021-06-11
申請公布號 CN112953416A 申請公布日 2021-06-11
分類號 H03F3/189;H03F3/20 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 張輝;李俊 申請（專利權(quán)）人 上海旦迪通信技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海諾衣知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉艷芝
地址 200000 上海市松江區(qū)九亭鎮(zhèn)久富路299號5幢二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種寬工作電壓的CMOS射頻放大器，包括共源管和共柵管共同組成的共源共柵結(jié)構(gòu)、共源管和共柵管各自的偏置電路；共柵管的偏置電路用于調(diào)節(jié)共柵管柵的柵極工作電壓；共源管的偏置電路用于控制共源管的開關(guān)工作狀態(tài)及共源管的柵極電壓；通過調(diào)節(jié)共柵管的柵極電壓，來調(diào)節(jié)共源管的漏極電壓。本發(fā)明提供的CMOS射頻放大器，可以適用于標(biāo)準(zhǔn)CMOS、RF CMOS、CMOS SOI等工藝各種節(jié)點(diǎn)，使用低壓MOS FET器件就能使電路既能工作在1.8V，同時又支持2.8V甚至3.3V、3.6V不同應(yīng)用場景寬工作電壓器，而避免CMOS射頻放大器里的薄柵或厚柵MOS FET管被電壓擊穿。