一種深紫外線發(fā)光二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911412342.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111129249B 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號 CN111129249B 申請公布日 2021-08-10
分類號 H01L33/38;H01L33/40 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張麗;劉亞柱;齊勝利;吳化勝 申請（專利權(quán)）人 寧波安芯美半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 合肥和瑞知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王挺;魏玉嬌
地址 315336 浙江省寧波市杭州灣新區(qū)玉海東路136號數(shù)字經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)園B區(qū)14號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種深紫外線發(fā)光二極管及其制備方法，涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。所述深紫外線發(fā)光二極管包括：基板，設(shè)置在基板上的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層；連接在N型半導(dǎo)體層上的第一電極墊；連接在P型半導(dǎo)體層上的第二電極墊；其中第一電極墊包含金屬多層交替結(jié)構(gòu)的歐姆電極。本發(fā)明通過設(shè)置金屬多層交替結(jié)構(gòu)的歐姆電極，并提供新的臺面刻蝕工藝，解決了傳統(tǒng)工藝歐姆電極接觸電阻高、耐高溫性差、易老化、外觀粗糙等問題。