一種深紫外LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111025420.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113745379A 公開（公告）日 2021-12-03
申請公布號 CN113745379A 申請公布日 2021-12-03
分類號 H01L33/12（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 丁濤;周飚;郭麗彬;齊勝利 申請（專利權(quán)）人 寧波安芯美半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 合肥和瑞知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 魏玉嬌
地址 315336浙江省寧波市杭州灣新區(qū)玉海東路136號數(shù)字經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)園B區(qū)14號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種應(yīng)用于深紫外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)及制備方法，具體步驟如下：提供一平片襯底；生長AlN緩沖層；對AlN緩沖層進行等離子體預(yù)處理；生長AlN低溫層；生長AlN高溫層；生長n型AlGaN層；生長AlxGa1?xN/AlyGa1?xN多量子阱有源層；生長Mg摻雜的p型AlGaN層，Mg摻雜的p型AlGaN層和Mg摻雜的p型GaN層。通過等離子體轟擊AlN緩沖層表面以在AlN緩沖層鋪上一層氣體原子，AlN緩沖層所鋪上的一層氣體原子改變了AlN緩沖層表面的極性，使得后續(xù)在AlN緩沖層沉積吸附的AlN的晶體原子排列較為整齊，從而減少了外延層中的晶體缺陷，改善AlN薄膜的晶體質(zhì)量，減少穿透位錯，提升深紫外發(fā)光二極管的光電性能。