一種圖形化深紫外LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111025819.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113782651A 公開（公告）日 2021-12-10
申請公布號 CN113782651A 申請公布日 2021-12-10
分類號 H01L33/06（2010.01）;H01L33/32（2010.01）;H01L33/20（2010.01）;H01L33/14（2010.01）;H01L33/00（2010.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 丁濤;劉亞柱;齊勝利 申請（專利權(quán)）人 寧波安芯美半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 合肥和瑞知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 魏玉嬌
地址 315336 浙江省寧波市杭州灣新區(qū)玉海東路136號數(shù)字經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)園B區(qū)14號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種圖形化深紫外LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，結(jié)構(gòu)上從上到下依次包括：平片襯底、六方氮化硼成核層、介質(zhì)層、AlN低溫層、AlN高溫層、n型AlGaN層、AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源層、Mg摻雜的p型AlGaN阻擋層、Mg摻雜的p型AlGaN層、Mg摻雜的p型GaN層，所述六方氮化硼成核層和介質(zhì)層在平片襯底面上交互生長，介質(zhì)層呈圖形化周期排列。本發(fā)明采用貼掩膜或者光刻技術(shù)在六方氮化硼成核層中制得呈圖形化陣列排布的微孔，然后在微孔中沉積介質(zhì)層，該結(jié)構(gòu)促進AlN材料的橫向外延生長。六方氮化硼散熱性好，可以大幅提高氮化鋁器件的性能，同時六方氮化硼可以釋放襯底層與AlN層之間的應(yīng)力使得AlN易于剝離，能顯著減少AlN位錯，提高AlN晶體質(zhì)量。