深紫外LED外延結(jié)構(gòu)、深紫外LED及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110002673.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112768580B 公開（公告）日 2021-12-07
申請公布號 CN112768580B 申請公布日 2021-12-07
分類號 H01L33/20（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉亞柱;齊勝利;周飚;郭麗彬 申請（專利權(quán)）人 寧波安芯美半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥和瑞知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 魏玉嬌
地址 315336 浙江省寧波市杭州灣新區(qū)玉海東路136號數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園B區(qū)14號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，技術(shù)涉及一種深紫外LED外延結(jié)構(gòu)、深紫外LED及其制備方法。所述深紫外LED外延結(jié)構(gòu)的制備方法如下：在襯底上生長深紫外LED外延層至P型AlGaN層，在深紫外LED外延層P型AlGaN層模板的基礎(chǔ)上，在上面做圖形化SiO2，然后在外延在此基礎(chǔ)上生長P型GaN層，把圖形化SiO2外延層刻蝕掉，即制得深紫外LED外延結(jié)構(gòu)；然后在刻蝕掉SiO2層的位置鍍上Al電極，即制得深紫外LED。圖形化SiO2被刻蝕后的位置鍍上的Al電極，可有效增加光的反射，增加出光。同時，Al電極附近較薄的P型GaN層可有效減少P型GaN層的吸光，提升UVC產(chǎn)品的發(fā)光效率，同時特殊工藝的Al電極，可增加光的反射，增加出光效率，提升器件的光電性能，特別可滿足大功率產(chǎn)品的需求。