強(qiáng)化沸騰結(jié)構(gòu)及電子芯片
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202023122543.0 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN215600351U | 公開(kāi)(公告)日 | 2022-01-21 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN215600351U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-21 |
分類(lèi)號(hào) | H01L23/367(2006.01)I;H01L23/467(2006.01)I;H01L23/473(2006.01)I;H01L23/427(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張鵬;默蓬勃;伊波力;郭雙江 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 曙光數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施創(chuàng)新技術(shù)(北京)股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專(zhuān)利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 董艷芳 |
地址 | 100082北京市海淀區(qū)東北旺西路8號(hào)院36號(hào)樓5層528室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種強(qiáng)化沸騰結(jié)構(gòu)及電子芯片,涉及散熱技術(shù)領(lǐng)域,該強(qiáng)化沸騰結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)熱基板、散熱肋和微納凹凸結(jié)構(gòu),散熱肋位于導(dǎo)熱基板的第一表面上,微納凹凸結(jié)構(gòu)形成于第一表面和散熱肋的表面;散熱肋的尺寸為微米至毫米級(jí)。該強(qiáng)化沸騰結(jié)構(gòu)通過(guò)散熱肋和微納凹凸結(jié)構(gòu),提高了核態(tài)沸騰換熱性能及電子芯片的臨界熱流密度,從而提高了電子芯片的散熱效果。 |
