一種高三階交調(diào)點(diǎn)可變衰減器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310080990.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103178801A 公開（公告）日 2013-06-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN103178801A 申請(qǐng)公布日 2013-06-26
分類號(hào) H03H7/24(2006.01)I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 戴永勝;朱勤輝;施淑媛;羅鳴;楊靜霞;張林;馮辰辰;顧家;陳湘治;方思慧;陳龍;朱丹;鄧良;李雁 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇奕揚(yáng)電子科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京理工大學(xué)專利中心 代理人 江蘇奕揚(yáng)電子科技股份有限公司
地址 210042 江蘇省南京市玄武區(qū)玄武大道699-1號(hào)7樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高三階交調(diào)點(diǎn)可變衰減器，在微波輸入端口RFIN和微波輸出端口RFOUT間級(jí)聯(lián)N個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）,在輸入端口RFIN和與其連接的第一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)之間的點(diǎn)和地之間間級(jí)聯(lián)N個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，在輸出端口RFOUT和與其連接的第一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)之間的點(diǎn)和地之間級(jí)聯(lián)N個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。本發(fā)明是一種用于雷達(dá)、通信的電子部件，是一種高三階交調(diào)點(diǎn)的線性電壓控制衰減器集成電路。具有小型，輕量級(jí)，高出產(chǎn)量，低成本等特點(diǎn)，并且簡(jiǎn)單易用，低功率耗散。