碳化硅溝槽型半導(dǎo)體器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310492586.3 申請日 -
公開（公告）號 CN103606551A 公開（公告）日 2014-02-26
申請公布號 CN103606551A 申請公布日 2014-02-26
分類號 H01L29/10(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 倪煒江;陳彤 申請（專利權(quán)）人 邳州瑞源電氣科技有限公司
代理機構(gòu) 北京正理專利代理有限公司 代理人 泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司;邳州瑞源電氣科技有限公司
地址 100192 北京市海淀區(qū)清河西小口路66號中關(guān)村東升科技園B-1西廳
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種溝槽型半導(dǎo)體器件的制作方法。該方法包括在依次具有第一導(dǎo)電類型的基底、漂移層、溝道層的半導(dǎo)體襯底上淀積第一掩膜層和第二掩膜層，利用形成在第二掩膜層中的圖形刻蝕溝道層形成溝槽；各向同性地在溝槽底部、溝道側(cè)壁和第二掩膜層上淀積第三掩膜層；各向異性地刻蝕第三掩膜層，剩余溝道頂部的第一掩膜層和第二掩膜層以及溝道側(cè)壁上的第三掩膜層；以所述剩余的第一掩膜層、第二掩膜層和第三掩膜層作為掩膜，對溝槽底部漂移層中暴露的區(qū)域進行離子注入，在漂移層中形成第二導(dǎo)電類型的離子注入?yún)^(qū)。去除第二掩膜層。選擇性的在所述溝槽底部暴露的離子注入?yún)^(qū)上外延生長第二導(dǎo)電類型的外延層；去除剩余的第一掩膜層和第三掩膜層以暴露有源區(qū)結(jié)構(gòu)，并形成電極層。