一種圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010208451.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111341894A | 公開(公告)日 | 2020-06-26 |
申請公布號 | CN111341894A | 申請公布日 | 2020-06-26 |
分類號 | H01L33/20(2010.01)I | 分類 | - |
發(fā)明人 | 孫永健;豆學(xué)剛;鄭會剛;鄧海燕;田克旺;武志川 | 申請(專利權(quán))人 | 保定中創(chuàng)燕園半導(dǎo)體科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 保定市燕趙恒通知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人 | 王葶葶 |
地址 | 071051河北省保定市向陽北大街2599號8017室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種圖形化藍(lán)寶石復(fù)合襯底及制備方法,襯底包括平片藍(lán)寶石襯底和SiO2異質(zhì)薄膜;在異質(zhì)薄膜端有高度1.2?2.2um、底徑1.2?4.5um和周期1.5?4.0um的圓錐圖形,圓錐圖形分布在異質(zhì)薄膜層或分布在異質(zhì)薄膜層和平片藍(lán)寶石襯底的上端,平片藍(lán)寶石襯底刻蝕深度為50?300nm。該襯底通過激光掃描底部加熱的方法糾正彎曲的平片藍(lán)寶石襯底晶格失配,復(fù)合藍(lán)寶石襯底的制備,勻膠機(jī)勻膠,掩模層的形成,硅膠軟膜的制備,掩模層圖形化及用ICP設(shè)備進(jìn)行等離子體刻蝕形成有規(guī)則的圓錐圖形等制成。本發(fā)明有效糾正了藍(lán)寶石晶格失配,釋放了藍(lán)寶石內(nèi)部應(yīng)力,增加了光提取效率,提高了生產(chǎn)效率,降低了成本。?? |
