一種近單晶雙層透明AlN陶瓷復合襯底

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920193021.8 申請日 -
公開（公告）號 CN209544284U 公開（公告）日 2019-10-25
申請公布號 CN209544284U 申請公布日 2019-10-25
分類號 H01L21/02（2006.01）I; H01L33/00（2010.01）I; C30B23/02（2006.01）I; C30B25/18（2006.01）I; C30B25/20（2006.01）I; C30B29/40（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫永健; 郭堅; 閻宇哲; 王光普; 諶洛; 賈軍峰; 豆學剛; 莫少瓊 申請（專利權）人 保定中創(chuàng)燕園半導體科技有限公司
代理機構 保定市燕趙恒通知識產權代理事務所 代理人 王葶葶
地址 071051 河北省保定市國家高新區(qū)北二環(huán)惠陽街369號中關村創(chuàng)新基地1號樓A座
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種近單晶雙層透明AlN陶瓷復合襯底，包括下層的近單晶AlN透明陶瓷基板和上層的AlN或GaN準單晶層；所述近單晶AlN透明陶瓷基板厚度為100—1000微米，晶胞直徑在1?3微米，不含燒結助劑，且c軸取向偏差在10—20°以內；所述AlN或GaN準單晶層厚度為5—100微米，c軸取向偏差在5°以內。本實用新型復合襯底接近AlN單晶材料的性能，能夠實現(xiàn)外延生長GaN單晶材料或器件或者AlN單晶材料或器件，翹曲變形小，熱導率高；且制備該復合襯底的設備成本低，從而制造成本低，使6英寸和8英寸LED器件的生產成為可能。