一種近單晶雙層透明AlN陶瓷復(fù)合襯底的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910112086.X 申請日 -
公開（公告）號 CN109920725A 公開（公告）日 2019-06-21
申請公布號 CN109920725A 申請公布日 2019-06-21
分類號 H01L21/02（2006.01）I; H01L33/00（2010.01）I; C30B23/02（2006.01）I; C30B25/18（2006.01）I; C30B29/40（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫永健; 郭堅; 王光普; 諶洛; 賈軍峰; 豆學(xué)剛; 莫少瓊 申請（專利權(quán)）人 保定中創(chuàng)燕園半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 保定市燕趙恒通知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 王葶葶
地址 071051 河北省保定市國家高新區(qū)北二環(huán)惠陽街369號中關(guān)村創(chuàng)新基地1號樓A座
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種近單晶雙層透明AlN陶瓷復(fù)合襯底的制備方法，c軸偏差在10?20°以內(nèi)、厚度為100?1000微米、晶胞直徑在1?3微米的近單晶AlN透明陶瓷基板的制備：將純凈的AlN陶瓷粉體裝入塑料袋中形成圓柱形放入溫等靜壓設(shè)備中進行壓制粉碎，二次壓制，切割成襯底圓片放入燒結(jié)爐內(nèi)兩次高溫?zé)Y(jié)；在透明陶瓷基板上制備c軸取向偏差在5°以內(nèi)、厚度5?100微米的AlN或GaN準(zhǔn)單晶層：利用分子束外延法或金屬有機化合物氣相沉積法等方法制備，高溫?zé)Y(jié)。本發(fā)明制備的復(fù)合襯底能夠?qū)崿F(xiàn)外延生長GaN或AlN單晶材料或器件，翹曲變形小，熱導(dǎo)率高，制造成本低，使6英寸和8英寸LED器件的生產(chǎn)成為可能。