一種近單晶雙層透明AlN陶瓷復(fù)合襯底的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910112086.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN109920725B | 公開（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109920725B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-15 |
| 分類號(hào) | H01L21/02;H01L33/00;C30B23/02;C30B25/18;C30B29/40 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 孫永健;郭堅(jiān);王光普;諶洛;賈軍峰;豆學(xué)剛;莫少瓊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 保定中創(chuàng)燕園半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 保定市燕趙恒通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人 | 王葶葶 |
| 地址 | 071051 河北省保定市國家高新區(qū)北二環(huán)惠陽街369號(hào)中關(guān)村創(chuàng)新基地1號(hào)樓A座 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種近單晶雙層透明AlN陶瓷復(fù)合襯底的制備方法，c軸偏差在10?20°以內(nèi)、厚度為100?1000微米、晶胞直徑在1?3微米的近單晶AlN透明陶瓷基板的制備：將純凈的AlN陶瓷粉體裝入塑料袋中形成圓柱形放入溫等靜壓設(shè)備中進(jìn)行壓制粉碎，二次壓制，切割成襯底圓片放入燒結(jié)爐內(nèi)兩次高溫?zé)Y(jié)；在透明陶瓷基板上制備c軸取向偏差在5°以內(nèi)、厚度5?100微米的AlN或GaN準(zhǔn)單晶層：利用分子束外延法或金屬有機(jī)化合物氣相沉積法等方法制備，高溫?zé)Y(jié)。本發(fā)明制備的復(fù)合襯底能夠?qū)崿F(xiàn)外延生長GaN或AlN單晶材料或器件，翹曲變形小，熱導(dǎo)率高，制造成本低，使6英寸和8英寸LED器件的生產(chǎn)成為可能。 |
