一種基于氮化鋁陶瓷材料的復合襯底及其制備方法和應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010590343.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113838955A 公開（公告）日 2021-12-24
申請公布號 CN113838955A 申請公布日 2021-12-24
分類號 H01L33/20（2010.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫永健;郭堅;豆學剛;陸羽 申請（專利權(quán)）人 保定中創(chuàng)燕園半導體科技有限公司
代理機構(gòu) 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭廣迅;趙巖
地址 071000河北省保定市競秀區(qū)向陽北大街2599號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種基于氮化鋁陶瓷材料的復合襯底，包括：（a）氮化鋁陶瓷基板；（b）圖形結(jié)構(gòu)層，包括位于所述氮化鋁陶瓷基板上的圖形結(jié)構(gòu)，所述圖形結(jié)構(gòu)呈周期性間隔分布于所述氮化鋁陶瓷基板上；和（c）多晶鍍膜層，所述多晶鍍膜層為覆蓋在所述圖形結(jié)構(gòu)層和未被所述圖形結(jié)構(gòu)覆蓋的氮化鋁陶瓷基板上的連續(xù)層。本發(fā)明提供的基于AlN陶瓷材料的復合襯底用于生長GaN或AlN單晶材料，其在避免熱失配位錯的同時降低了襯底材料的成本。