一種半導(dǎo)體電阻橋封裝結(jié)構(gòu)和工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810127061.2 申請日 -
公開（公告）號 CN108447840B 公開（公告）日 2020-04-10
申請公布號 CN108447840B 申請公布日 2020-04-10
分類號 H01L23/488;H01L23/49;H01L21/603 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 丁雋;馬國榮;李保云 申請（專利權(quán)）人 積高電子（無錫）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京紐樂康知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 積高電子（無錫）有限公司
地址 214161 江蘇省無錫市濱湖區(qū)胡埭工業(yè)園北區(qū)聯(lián)合路10號（蠡園開發(fā)區(qū)胡埭工業(yè)園A幢三樓）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體電阻橋封裝結(jié)構(gòu)和工藝，該封裝為二層結(jié)構(gòu)，包括1顆半導(dǎo)體電阻橋芯片、2片焊片、2個金屬電極和1層絕緣粘接層，所述半導(dǎo)體電阻橋芯片的2個引出端設(shè)有引出端焊盤；所述引出端焊盤上設(shè)有焊料渡涂層，所述電極上刻有芯腔，所述金屬電極鍍涂有焊料層；所述焊片上鍍涂有焊料層；所述半導(dǎo)體電阻橋芯片通過所述絕緣粘接層粘接固定于所述芯腔中，所述焊片上的焊料層與所述引出端焊盤上的焊料渡涂層和所述金屬電極上的焊料層焊接在一起。該封裝結(jié)構(gòu)為二層結(jié)構(gòu)，封裝結(jié)構(gòu)簡單，該封裝結(jié)構(gòu)的互連電阻更低、抗外界沖擊能力更強(qiáng)；利用濕法刻蝕、加熱加壓焊接工藝替代半導(dǎo)體電阻橋封裝中金屬引線鍵合、包封、切割封裝工藝，使封裝效率更高。