發(fā)光二極管的封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110285443.6 申請日 -
公開（公告）號 CN103022275B 公開（公告）日 2015-05-20
申請公布號 CN103022275B 申請公布日 2015-05-20
分類號 H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡必強(qiáng);許時淵 申請（專利權(quán)）人 江蘇再保南通信用融資擔(dān)保有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市鼎言知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 賽恩倍吉科技顧問（深圳）有限公司;南通捷晶半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
地址 518109 廣東省深圳市龍華新區(qū)龍觀東路83號榮群大廈11樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種發(fā)光二極管封裝方法，其包括步驟：提供一導(dǎo)電架，該導(dǎo)電架包括相互間隔的第一電極和第二電極；提供一發(fā)光二極管晶粒，采用共晶技術(shù)將該發(fā)光二極管晶粒固定在該導(dǎo)電架上，并使該發(fā)光二極管晶粒分別與所述第一電極和第二電極形成電性連接；提供一覆蓋層，使該覆蓋層包覆所述發(fā)光二極管晶粒及部分導(dǎo)電架；形成一基座，該基座環(huán)繞該覆蓋層并局部覆蓋導(dǎo)電架；及將一封裝層覆蓋形成于該覆蓋層上。與先前技術(shù)相比，該種方法先將發(fā)光二極管晶粒在高溫環(huán)境下通過共晶結(jié)合固定在導(dǎo)電架上，然后再形成其他封裝結(jié)構(gòu)，從而避免高溫環(huán)境損壞其他封裝結(jié)構(gòu)，進(jìn)而提升發(fā)光二極管封裝體的品質(zhì)，提高制程良率。