一種碳納米管修飾高密度吸氫中子靶及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110239911.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113038684A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113038684A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-25 |
| 分類(lèi)號(hào) | H05H6/00 | 分類(lèi) | 其他類(lèi)目不包含的電技術(shù); |
| 發(fā)明人 | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 中科超睿（青島）技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 徐琪琦 |
| 地址 | 266199 山東省青島市李滄區(qū)金水路171號(hào)28號(hào)樓8樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種碳納米管修飾高密度吸氫中子靶及其制備方法，所述中子靶由基底和吸氫膜組成，所述基底的材料為Cu、Mo及上述金屬的合金中的任意一種或多種的組合，所述吸氫膜由碳納米管和納米儲(chǔ)氫材料混合而成。本發(fā)明針對(duì)目前常用鈦膜中子靶存在吸氫密度低的關(guān)鍵問(wèn)題，將具有高吸氫密度的碳納米管材料引入吸中子靶膜，通過(guò)碳納米管修飾儲(chǔ)氫材料以提高中子靶膜總體吸氫量。同時(shí)對(duì)碳納米管進(jìn)行催化修飾后以進(jìn)一步提高其吸氫量以及吸氫穩(wěn)定性。此外，由于分散的碳納米管阻礙了儲(chǔ)氫材料在制備過(guò)程的晶粒長(zhǎng)大，使其晶粒維持在納米尺寸，有助于進(jìn)一步提高中子靶膜吸氫量以及膜與基底的結(jié)合力。 |
