一種制備聚四氟乙烯電路板的方法和設備
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201610227227.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN105908134A | 公開(公告)日 | 2016-08-31 |
申請公布號 | CN105908134A | 申請公布日 | 2016-08-31 |
分類號 | C23C14/32(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;H05K3/38(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 廖斌;王宇東;羅軍;張旭;吳先映 | 申請(專利權)人 | 廣東省廣新創(chuàng)新研究院有限公司 |
代理機構 | - | 代理人 | - |
地址 | 100875 北京市海淀區(qū)新街口外大街19號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種基于離子束技術在聚四氟乙烯基底表面沉積超高結合強度的金屬膜層及電路板的制備方法和設備;沉積超強結合力的金屬膜層的制備方法包括:金屬“注入+擴散層”和金屬膜層;其中,該金屬“注入+擴散層”的制備方法包括:利用氣體離子源對基底進行大束流清洗,隨后利用40KV高能金屬蒸汽真空弧(MEVVA)離子源,向基底層注入金屬元素形成金屬“注入+擴散層”;金屬膜層的制備方法包括:利用90度磁過濾陰極真空弧(FCVA)系統(tǒng)沉積1?10微米的金屬膜層。因此,采用本發(fā)明的制備方法和設備制備得到的金屬膜層和聚四氟乙烯基材具有很高結合力和抗剝離性。 |
