一種制造平面光波導(dǎo)器件的方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610279110.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN105739013B | 公開(公告)日 | 2019-03-22 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN105739013B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-03-22 |
分類號(hào) | G02B6/132(2006.01)I; G02B6/138(2006.01)I; G02B6/13(2006.01)I | 分類 | 光學(xué); |
發(fā)明人 | 陳波; 鄭煜; 彭延斌; 余朝晃 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 湖南新中合光電科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 李相雨 |
地址 | 410083 湖南省長(zhǎng)沙市湘西自治州保靖縣高新科技產(chǎn)業(yè)園區(qū) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種制造平面光波導(dǎo)器件的方法。該制造平面光波導(dǎo)器件的方法包括:在晶圓襯底上沉積光波導(dǎo)芯層;退火硬化,使得所述芯層致密均勻;采用物理氣相沉積法形成金屬掩膜層;涂光刻膠,并進(jìn)行曝光顯影;去光刻膠,反應(yīng)離子刻蝕金屬掩膜;感應(yīng)耦合刻蝕芯層;采用火焰水解沉積光波導(dǎo)上包層;退火硬化,使得上包層致密均勻;其中,所述晶圓襯底的氫氧根離子小于200PPM,表面殘余應(yīng)力小于1MPa。本發(fā)明提供的制造平面光波導(dǎo)器件的方法,無(wú)需制做下包層,直接在符合要求的晶圓襯底上沉積光波導(dǎo)芯層,減少了制造步驟及工序環(huán)節(jié)。 |
