一種具有異質柵介質的納米片晶體管及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011502515.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112736141A 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN112736141A 申請公布日 2021-04-30
分類號 H01L29/78;H01L29/06;H01L29/15;H01L29/51;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李高鵬 申請（專利權）人 西安國微半導體有限公司
代理機構 西安嘉思特知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 李園園
地址 710000 陜西省西安市高新區(qū)丈八街辦科技二路72號西安軟件園零壹廣場10901室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有異質柵介質的納米片晶體管及制備方法；該納米片晶體管包括：襯底、源區(qū)、漏區(qū)、柵極材料以及多個納米片溝道層；其中，柵極材料包覆納米片溝道層形成圍柵結構；源區(qū)、圍柵結構以及漏區(qū)沿溝道方向依次設置于襯底之上；溝道方向為從源區(qū)指向漏區(qū)的方向；柵極材料與納米片溝道層的相鄰面之間、與襯底的相鄰面之間均設置有異質柵介質層；異質柵介質層包括沿溝道方向連續(xù)設置的多種柵介質材料，多種柵介質材料的相對介電常數隨溝道方向逐漸降低；源區(qū)通過第一隔離介質與柵區(qū)實現(xiàn)隔離；漏區(qū)通過第一隔離介質與柵區(qū)實現(xiàn)隔離。本發(fā)明減輕了小尺寸場效應晶體管的短溝道效應，降低了關態(tài)電流泄漏，提升了小尺寸半導體器件的電學性能。