基于納米片堆疊場效應晶體管的生物傳感器及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011516842.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112736142A 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN112736142A 申請公布日 2021-04-30
分類號 H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336;G01N27/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉飛辰 申請（專利權）人 西安國微半導體有限公司
代理機構(gòu) 西安嘉思特知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 劉長春
地址 710000 陜西省西安市高新區(qū)丈八街辦科技二路72號西安軟件園零壹廣場10901室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于納米片堆疊場效應晶體管的生物傳感器及制備方法；該生物傳感器包括襯底、源區(qū)、納米片堆疊區(qū)、隔離區(qū)以及漏區(qū)；納米片堆疊區(qū)靠近隔離區(qū)的一側(cè)被環(huán)形的柵金屬層包圍形成溝道區(qū)，另一側(cè)與源區(qū)相接觸形成源接觸區(qū)；納米片堆疊區(qū)包括平行設置的多個納米片導電溝道層；最上層的納米片導電溝道層與柵金屬層之間、每兩個上下相近的納米片導電溝道層之間，以及最下層的納米片導電溝道層與柵金屬層之間均形成腔體；每個腔體靠近隔離區(qū)一端的空間內(nèi)填充有柵介質(zhì)，另一端未填充柵介質(zhì)的空間形成生物分子填充腔；生物分子填充腔的入口位于源接觸區(qū)；本發(fā)明提供了一種高敏感度、能夠克服短溝效應、工藝制造難度低且性能穩(wěn)定的生物傳感器。