晶圓幾何參數(shù)以及晶圓上掩膜層的厚度的測(cè)量方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011569092.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112864075A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112864075A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-28 |
| 分類號(hào) | G01B11/24(2006.01)I;G01B7/06(2006.01)I;G01B11/06(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 曾安 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京力安半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京布瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 秦衛(wèi)中 |
| 地址 | 210000江蘇省南京市江北新區(qū)研創(chuàng)園團(tuán)結(jié)路99號(hào)孵鷹大廈1849室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種晶圓幾何參數(shù)以及晶圓上掩膜層的厚度的測(cè)量方法。晶圓幾何參數(shù)的測(cè)量方法中晶圓厚度的測(cè)量方法包括：利用氣浮卡盤(pán)將晶圓懸浮在氣浮卡盤(pán)的頂部表面上方預(yù)定距離D處,D≥0；利用激光器和位置傳感器測(cè)量晶圓的正面上第一位置點(diǎn)的位置信息，以得到位置傳感器讀數(shù)Vx，晶圓的正面為晶圓遠(yuǎn)離氣浮卡盤(pán)的表面；利用電容傳感器測(cè)量晶圓的背面上第二位置點(diǎn)的位置信息，以得到電容傳感器讀數(shù)CPn，第一位置點(diǎn)與第二位置點(diǎn)為晶圓中表征厚度的相對(duì)的兩個(gè)位置點(diǎn)，晶圓的背面為晶圓靠近氣浮卡盤(pán)的表面；根據(jù)Vx和CPn獲取晶圓的厚度T晶圓，T晶圓為晶圓上第一位置點(diǎn)與第二位置點(diǎn)之間的距離。本申請(qǐng)實(shí)施例能夠避免夾持工具或卡盤(pán)表面的偽像或痕跡等對(duì)晶圓幾何參數(shù)的測(cè)量造成的較大測(cè)量誤差。?? |
