一種固相摻雜硅單晶的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110523687.7 申請日 -
公開（公告）號 CN115341270A 公開（公告）日 2022-11-15
申請公布號 CN115341270A 申請公布日 2022-11-15
分類號 C30B15/04（2006.01）;C30B29/06（2006.01） 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 楊志;郭志榮;王林;程立波;鐘旭;劉有益 申請（專利權(quán)）人 內(nèi)蒙古中環(huán)晶體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 欒志超
地址 010070 內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市賽罕區(qū)阿木爾南街19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種固相摻雜硅單晶的制備方法，包括：將多晶料和摻雜劑混合成的原料放入坩堝內(nèi)；將晶體生長裝置內(nèi)部抽真空，通入氬氣；將所述坩堝置入所述晶體生長裝置中并熔化所述原料，得到熔體；籽晶接觸所述熔體表面，當(dāng)所述熔體表面穩(wěn)定后開始引晶，直至晶棒脫離所述熔體表面，引晶結(jié)束。本發(fā)明的有益效果是有效的解決現(xiàn)有技術(shù)的摻雜方式只能摻雜元素的氫化物，并不是高純元素，元素中的雜質(zhì)越多，越對生長出來的晶棒不利，晶棒的質(zhì)量比也會隨之降低，且氣體融入熔體時，不能保證均勻的融入，最終得到的晶棒也不能保證摻雜物的均勻，制得硅片的電學(xué)性能不能得到保證的問題。