一種自動(dòng)控制單晶硅電阻率的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110522365.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN115341268A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-11-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN115341268A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-11-15 |
| 分類號(hào) | C30B15/04（2006.01）;C30B15/20（2006.01）;C30B29/06（2006.01） | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 劉有益;高利強(qiáng);楊志;程立波;鐘旭;沈浩平;王彥君;王林;李建軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 內(nèi)蒙古中環(huán)晶體材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 欒志超 |
| 地址 | 010070 內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市賽罕區(qū)阿木爾南街19號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種自動(dòng)控制單晶硅電阻率的方法，在直拉單晶過(guò)程中進(jìn)行氣體摻雜，包括：設(shè)定氣體摻雜開(kāi)啟節(jié)點(diǎn)及氣體流量；進(jìn)行單晶拉制；在單晶拉制的過(guò)程中，獲取坩堝內(nèi)熔體的接觸電壓，并根據(jù)接觸電壓自動(dòng)計(jì)算單晶電阻率；判斷單晶拉制進(jìn)程，若滿足設(shè)定的氣體摻雜開(kāi)啟節(jié)點(diǎn)條件，控制氣體輸入單晶爐內(nèi)，進(jìn)行摻雜；同時(shí)，根據(jù)計(jì)算的單晶電阻率控制氣體的流量變化，控制單晶軸向電阻率；否則，繼續(xù)單晶的拉制。本發(fā)明的有益效果是增設(shè)自動(dòng)通氣系統(tǒng)，設(shè)定摻雜氣體開(kāi)始摻雜的條件，控制系統(tǒng)控制自動(dòng)通氣系統(tǒng)動(dòng)作，通入摻雜氣體，根據(jù)單晶與坩堝內(nèi)不同重量的熔體的接觸電壓得到單晶的電阻率，自動(dòng)控制摻雜氣體的流量變化，控制單晶電阻率的軸向衰減。 |
