一種控制摻鎵單晶電阻率的摻雜方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110522363.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN115341267A | 公開（公告）日 | 2022-11-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN115341267A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-11-15 |
| 分類號(hào) | C30B15/04（2006.01）;C30B15/20（2006.01）;C30B29/06（2006.01） | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 楊志;劉有益;程立波;鐘旭;沈浩平;王彥君;王林;李建軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 內(nèi)蒙古中環(huán)晶體材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 欒志超 |
| 地址 | 010070 內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市賽罕區(qū)阿木爾南街19號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種控制摻鎵單晶電阻率的摻雜方法，包括：摻鎵單晶拉制過(guò)程中進(jìn)行磷元素的摻雜，采用含有磷元素的摻雜氣體進(jìn)行摻雜，且在摻雜過(guò)程中長(zhǎng)晶設(shè)備內(nèi)為負(fù)壓環(huán)境，使得摻雜氣體自動(dòng)進(jìn)入長(zhǎng)晶設(shè)備內(nèi)；獲取單晶的拉制長(zhǎng)度，并將獲取的單晶長(zhǎng)度與標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度值進(jìn)行對(duì)比，若獲取的單晶長(zhǎng)度達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度值，則向長(zhǎng)晶設(shè)備內(nèi)通入摻雜氣體。本發(fā)明的有益效果是單晶軸向電阻率可受控，改變鎵在單晶中分凝效果，摻雜劑磷化氫易獲取，摻雜簡(jiǎn)單，摻雜時(shí)間及摻雜位置范圍寬，棒長(zhǎng)增加情況下，單晶軸向電阻率表現(xiàn)優(yōu)于純摻鎵單晶軸向電阻率分布。 |
