一種自動控制單晶硅電阻率的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110522362.7 申請日 -
公開（公告）號 CN115341266A 公開（公告）日 2022-11-15
申請公布號 CN115341266A 申請公布日 2022-11-15
分類號 C30B15/04（2006.01）;C30B15/20（2006.01）;C30B29/06（2006.01） 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉有益;楊志;程立波;鐘旭;沈浩平;王彥君;王林;李建軍 申請（專利權(quán)）人 內(nèi)蒙古中環(huán)晶體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 欒志超
地址 010070 內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市賽罕區(qū)阿木爾南街19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種自動控制單晶硅電阻率的方法，在直拉單晶過程中進(jìn)行氣體摻雜，包括：設(shè)定氣體摻雜開啟節(jié)點(diǎn)及氣體流量；進(jìn)行單晶拉制，判斷單晶拉制的顆次；在拉制每顆次單晶過程中，判斷單晶拉制進(jìn)程，若滿足設(shè)定的氣體摻雜開啟節(jié)點(diǎn)條件，控制氣體輸入單晶爐內(nèi)，進(jìn)行摻雜，根據(jù)單晶電阻率的變化控制氣體流量變化，控制單晶軸向電阻率；否則，繼續(xù)單晶的拉制。本發(fā)明的有益效果是增設(shè)自動通氣系統(tǒng)，設(shè)定摻雜氣體開始摻雜的條件，在拉制每顆次單晶時控制系統(tǒng)控制自動通氣系統(tǒng)通入摻雜氣體，根據(jù)不同顆次單晶拉制時坩堝內(nèi)熔體內(nèi)雜質(zhì)的濃度得到單晶的電阻率，自動控制摻雜氣體的流量變化。