一種控制單晶電阻率軸向衰減速率的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110523699.X 申請日 -
公開（公告）號 CN115341271A 公開（公告）日 2022-11-15
申請公布號 CN115341271A 申請公布日 2022-11-15
分類號 C30B15/04（2006.01）;C30B15/20（2006.01）;C30B29/06（2006.01） 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 高利強(qiáng);劉有益;楊志;程立波;鐘旭;沈浩平;王彥君;王林;李建軍 申請（專利權(quán)）人 內(nèi)蒙古中環(huán)晶體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 欒志超
地址 010070 內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市賽罕區(qū)阿木爾南街19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種控制單晶電阻率軸向衰減速率的方法，在拉制摻鎵單晶過程中，進(jìn)行磷元素?fù)诫s，隨著單晶長度的增加，進(jìn)行含磷元素氣體或含磷元素固體摻雜，單晶長度每增長一個長度變化量，含磷元素氣體的流量增加一個流量變化量或含磷元素固體的重量增加一個重量變化量；或，隨著坩堝內(nèi)剩料重量的減少，進(jìn)行含磷元素氣體或含磷元素固體摻雜，坩堝內(nèi)剩料的重量每減少一個剩料重量變化量，含磷元素氣體的流量增加一個第一流量變化量或含磷元素固體的重量增加一個第一重量變化量。本發(fā)明的有益效果是隨著單晶長度的增加或隨著坩堝內(nèi)剩料的重量逐漸減少，使用持續(xù)含磷元素氣體或含磷元素固體進(jìn)行磷元素?fù)诫s，有效抑制電阻率衰減，單晶電阻率一致性更好。