一種直拉單晶初始復投工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110556750.7 申請日 -
公開（公告）號 CN115369475A 公開（公告）日 2022-11-22
申請公布號 CN115369475A 申請公布日 2022-11-22
分類號 C30B15/00（2006.01）I;C30B15/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 趙國偉;王林;谷守偉;張文霞;王建平;吳樹飛;郝瑞軍;安偉;菅向紅;郭志榮 申請（專利權(quán)）人 內(nèi)蒙古中環(huán)晶體材料有限公司
代理機構(gòu) 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 010070內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市賽罕區(qū)阿木爾南街19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種直拉單晶初始復投工藝，步驟包括：載有熔硅原料的石英坩堝的上端面至熔硅液面具有一定高度；使具有所述一定高度的所述石英坩堝的內(nèi)側(cè)環(huán)壁面產(chǎn)生析晶相變，獲得一層α?方石英結(jié)構(gòu)的石英體；向析晶后的所述石英坩堝進行復投硅原料。本發(fā)明在不影響石英坩堝總的裝料量前提下，可使石英坩堝靠近固液界面的上沿內(nèi)壁被高溫充分烘烤，使其逐步完全析晶獲得一層致密且穩(wěn)定的α?方石英結(jié)構(gòu)的保護層，且耐腐蝕度高，使在首顆單晶拉制過程中，石英坩堝內(nèi)壁不易出現(xiàn)氣泡破裂或石英脫落問題，從而可減少拉晶過程中雜質(zhì)的含量，進而改善成晶效果。與現(xiàn)有初始復投工藝相比，本發(fā)明提出的復投工藝，可使初始拉制硅棒的成晶率提高15％以上。