一種低熔點(diǎn)薄膜、制備方法及其應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010193768.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111331980A 公開（公告）日 2020-06-26
申請公布號 CN111331980A 申請公布日 2020-06-26
分類號 B32B27/08(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 李飛;崔濤;郝際臣;王朋濤 申請（專利權(quán)）人 青島海益塑業(yè)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 青島智地領(lǐng)創(chuàng)專利代理有限公司 代理人 張紅鳳
地址 266108山東省青島市城陽區(qū)國際空港工業(yè)園（雙元路）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低熔點(diǎn)薄膜、制備方法及其應(yīng)用，屬于薄膜的制備技術(shù)領(lǐng)域。其低熔點(diǎn)薄膜為復(fù)合結(jié)構(gòu)，分別是從上到下依次排布的第一層體、第二層體和第三層體，所述的第一層體和第三層體均是低密度聚乙烯材質(zhì)，所述的第二層體是乙烯?醋酸乙烯共聚物(EVA)材質(zhì)其低熔點(diǎn)薄膜的制備方法是使用三層共擠復(fù)合吹塑工藝加工生產(chǎn)的，將低密度聚乙烯和乙烯?醋酸乙烯共聚物原料分別使用不同擠出機(jī)加熱塑化擠出，在復(fù)合模具中復(fù)合，經(jīng)吹脹成泡，風(fēng)環(huán)冷卻定型，經(jīng)人字板后成筒狀，經(jīng)卷取成卷膜。本發(fā)明制備得到的薄膜的熔點(diǎn)≤85℃，本發(fā)明方法提高了薄膜加工性，不添加不利于使用的加工助劑，保證了穩(wěn)定的薄膜熱封強(qiáng)度，開口性，低氣味性等性能。??