含有小分子半導(dǎo)體化合物和非導(dǎo)電聚合物的薄膜半導(dǎo)體
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201580046075.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN107207492A | 公開（公告）日 | 2017-09-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN107207492A | 申請(qǐng)公布日 | 2017-09-26 |
| 分類號(hào) | C07D471/00;H01L29/76;H01L51/30;H01L51/05 | 分類 | 有機(jī)化學(xué)〔2〕; |
| 發(fā)明人 | T·魏茨;T·格斯納;剛也純一;己史公之 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 巴斯夫（中國）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京市中咨律師事務(wù)所 | 代理人 | 林柏楠;劉金輝 |
| 地址 | 韓國首爾 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種薄膜半導(dǎo)體，其含有式I或II的化合物，其中R1和R2在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地選自C1?30烷基、C2?30鏈烯基、C2?30炔基和C1?30鹵代烷基，R3、R4、R5和R6獨(dú)立地是H或吸電子基團(tuán)，其中R3、R4、R5和R6中的至少一個(gè)是吸電子基團(tuán)；和含有非導(dǎo)電聚合物。 |
