一種基于MEMS的自適應(yīng)點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)光投射方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011522177.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112729164A 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN112729164A 申請公布日 2021-04-30
分類號 G01B11/25;G02B26/08;G02B26/10 分類 測量；測試;
發(fā)明人 楊濤;彭磊;李曉曉;姜軍委;林淦;王叢華;周翔 申請（專利權(quán)）人 革點(diǎn)科技（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 湯東鳳
地址 518054 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新南一道006號TCL大廈A706B
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于MEMS的自適應(yīng)點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)光投射方法，包含以下步驟：構(gòu)建一個單目MEMS結(jié)構(gòu)光三維測量系統(tǒng)；標(biāo)定所構(gòu)建的單目MEMS結(jié)構(gòu)光三維測量系統(tǒng)；利用結(jié)構(gòu)光成像方法進(jìn)行粗成像；反饋調(diào)制激光器的光強(qiáng)；利用結(jié)構(gòu)光成像方法進(jìn)行精細(xì)成像。本發(fā)明的方案，使用光束掃描的方法，既具有DOE+VCSEL低成本、低功耗、高集成度的優(yōu)點(diǎn)，還可以進(jìn)行點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)光自適應(yīng)調(diào)節(jié)，與傳統(tǒng)的DOE配合VCSEL的點(diǎn)陣投影方案相比，具有更好的材質(zhì)、距離適應(yīng)性，以及更好的精度。與基于多種曝光的高動態(tài)方法相比，本方法在不顯著降低幀速率的前提下有效的提高系統(tǒng)的動態(tài)范圍。