垂直陣列納米柱薄膜體聲波諧振器及其制備方法和濾波器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611135805.2 申請日 -
公開（公告）號 CN107026627A 公開（公告）日 2017-08-08
申請公布號 CN107026627A 申請公布日 2017-08-08
分類號 H03H3/02(2006.01)I;H03H9/17(2006.01)I;H03H9/54(2006.01)I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 李國強;劉國榮;李潔 申請（專利權(quán)）人 佛山市艾佛光通科技有限公司
代理機構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 談杰
地址 528226 廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)羅村朗沙廣東新光源產(chǎn)業(yè)基地內(nèi)A區(qū)7座第三層303單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了垂直陣列納米柱薄膜體聲波諧振器，依次包括硅襯底、空腔和壓電堆疊結(jié)構(gòu)，所述空腔形成于硅襯底和壓電堆疊結(jié)構(gòu)之間；所述壓電堆疊結(jié)構(gòu)包括底電極、壓電材料納米柱陣列、納米柱側(cè)壁隔離層、制作在納米柱側(cè)壁隔離層外的間隙填充層、頂電極。本發(fā)明的垂直陣列納米柱薄膜體聲波諧振器能有效釋放壓電材料生長中所積累的應(yīng)力，減少材料內(nèi)部缺陷，有效抑制除縱向振動外的其他寄生振動模式，實現(xiàn)低雜波高Q值FBAR。