空腔型薄膜體聲波諧振器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410005507.6 申請日 -
公開（公告）號 CN104767500B 公開（公告）日 2018-11-09
申請公布號 CN104767500B 申請公布日 2018-11-09
分類號 H03H9/17;H03H3/02 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 李國強;劉國榮 申請（專利權）人 佛山市艾佛光通科技有限公司
代理機構 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 萬志香;曾鳳云
地址 510700 廣東省廣州市黃埔區(qū)開源大道136號B2棟1103室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種空腔型薄膜體聲波諧振器及其制備方法，屬于聲波諧振器技術領域。該制備方法包括：在制備襯底上生長該聲波諧振器中的薄膜結構層；將制備襯底和其上生長的薄膜結構層一起，以該薄膜結構層的一面固定于支撐襯底上，在支撐襯底和該薄膜結構層之間形成空腔；將制備襯底與薄膜結構層剝離；該薄膜結構層包括有支撐層，或包括有支撐層和底電極，或包括有支撐層、底電極和壓電膜，或包括有支撐層、底電極、壓電膜和頂電極；形成依次層疊為支撐襯底、支撐層、底電極、壓電膜和頂電極的結構。采用該方法制備得到的空腔型薄膜體聲波諧振器，克服了常規(guī)工藝中在犧牲層去除的過程中對諧振結構產(chǎn)生不良影響的問題，使該諧振器具備更好的性能。