薄膜體聲波諧振器物理參數(shù)的優(yōu)化方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610544684.0 申請日 -
公開（公告）號 CN106446321A 公開（公告）日 2017-02-22
申請公布號 CN106446321A 申請公布日 2017-02-22
分類號 G06F17/50(2006.01)I 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 李國強(qiáng);劉國榮;謝昌俊;李潔 申請（專利權(quán)）人 佛山市艾佛光通科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 談杰
地址 528116 廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)羅村朗沙廣東新光源產(chǎn)業(yè)基地內(nèi)A區(qū)7座第三層303單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了薄膜體聲波諧振器物理參數(shù)的優(yōu)化方法，包括電極層與壓電層的等效模型的建立，應(yīng)用ADS軟件調(diào)諧薄膜體聲波諧振器的壓電層物理參數(shù)，仿真基于Mason模型的薄膜體聲波諧振器的品質(zhì)因數(shù)和有效機(jī)電耦合系數(shù)。本發(fā)明通過FBAR串并聯(lián)諧振頻率來得出FBAR有效機(jī)電耦合系數(shù)，通過相頻特性來計算器件品質(zhì)因數(shù)。通過此方法，直接優(yōu)化了FBAR壓電材料物理屬性中的夾持介電常數(shù)、壓電應(yīng)力常數(shù)、密度、彈性勁度常數(shù)對FBAR器件性能的影響，為通過改變薄膜物理屬性優(yōu)化諧振器的方法提供了理論依據(jù)。