一種空腔型薄膜體聲波諧振器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721256315.8 申請日 -
公開（公告）號 CN207339805U 公開（公告）日 2018-05-08
申請公布號 CN207339805U 申請公布日 2018-05-08
分類號 H03H9/17;H03H3/02 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 李國強(qiáng);李潔 申請（專利權(quán)）人 佛山市艾佛光通科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 王國標(biāo)
地址 510700 廣東省廣州市黃埔區(qū)開源大道136號B2棟1103室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種空腔型薄膜體聲波諧振器，包括支撐襯底、支撐層、薄膜結(jié)構(gòu)層和頂電極；所述支撐襯底、支撐層與所述薄膜結(jié)構(gòu)層形成的空腔為腔體，所述支撐襯底為腔底；所述支撐層設(shè)置在支撐襯底表面邊緣處，形成腔壁；所述薄膜結(jié)構(gòu)層設(shè)置在支撐襯底上，形成腔蓋；所述薄膜結(jié)構(gòu)層從下至上分別為底電極、壓電層，所述壓電層為單晶態(tài)氮化鋁，所述頂電極位于所述壓電層上。相對于現(xiàn)有的基于多晶氮化鋁壓電層的薄膜體聲波諧振器，本實用新型中所述的空腔型薄膜體聲波諧振器結(jié)構(gòu)的Q值和機(jī)電耦合系數(shù)得到了進(jìn)一步的提高，插入損耗進(jìn)一步的降低，從而大幅度的提高了器件的性能。本實用新型可應(yīng)用于超薄壓電薄膜在FBAR中的應(yīng)用。