基于金錫雙面共晶鍵合的外延層轉(zhuǎn)移方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710891111.X 申請日 -
公開（公告）號 CN107749436A 公開（公告）日 2018-03-02
申請公布號 CN107749436A 申請公布日 2018-03-02
分類號 H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李國強;李潔 申請（專利權(quán)）人 佛山市艾佛光通科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 陳均欽
地址 528000 廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)羅村朗沙廣東新光源產(chǎn)業(yè)基地內(nèi)A區(qū)7座第三層303單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了基于金錫雙面共晶鍵合的外延層轉(zhuǎn)移方法。該方法包括以下步驟1：清洗處理外延層，制備第一粘附層、鍵合層；步驟2：在轉(zhuǎn)移硅襯底上制備粘附層、阻擋層、鍵合層；步驟3：金錫雙面共晶鍵合；步驟4：剝離生長襯底，得到轉(zhuǎn)移后的外延層硅襯底材料。本發(fā)明提出了金錫雙面共晶鍵合的結(jié)構(gòu)，改善了鍵合效果；同時，表面Au層保護Sn不被氧化；Ti做阻擋層很好地阻止Sn的擴散，穿過阻擋層破壞鍵合結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中所述制備方法通過形成可靠的金錫合金，減小鍵合層空洞，提升了鍵合質(zhì)量，避免了鍵合失效，實現(xiàn)了外延層到硅襯底的無損轉(zhuǎn)移。有利于發(fā)揮理想的半導(dǎo)體特性，制備成大規(guī)模、功能齊全的微電子和光電子集成器件。