一種PFCVD半導體設備的氣體噴淋頭

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121488008.9 申請日 -
公開（公告）號 CN215560653U 公開（公告）日 2022-01-18
申請公布號 CN215560653U 申請公布日 2022-01-18
分類號 C23C16/455（2006.01）I;C23C16/44（2006.01）I;B08B1/04（2006.01）I;B08B13/00（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 陳兆榮 申請（專利權）人 賽林斯彌（無錫）電子科技有限公司
代理機構 湖南楚墨知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 麥振聲
地址 214000江蘇省無錫市錫山區(qū)安鎮(zhèn)街道丹山路88號錫東創(chuàng)融大廈C座1210
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種PFCVD半導體設備的氣體噴淋頭，包括反應箱、箱蓋、噴淋頭與清潔機構，所述箱蓋設置于反應箱頂端，所述噴淋頭設置于反應箱內(nèi)部，所述清潔機構包括：清潔塊，所述清潔塊設置于噴淋頭外側(cè)，用于清潔噴淋頭；主動齒輪，所述主動齒輪設置于噴淋頭一側(cè)，用于帶動清潔塊旋轉(zhuǎn)；通過設置了清潔機構，可以對噴淋頭外表面的生成物進行有效清潔，避免噴淋頭表面的氣孔堵塞影響氣體輸送。