一種多層非晶硅薄膜的制備方法及太陽(yáng)能電池

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111152795.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113913791A 公開（公告）日 2022-01-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN113913791A 申請(qǐng)公布日 2022-01-11
分類號(hào) C23C16/505（2006.01）I;C23C16/24（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L31/0747（2012.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 許爍爍;彭宜昌;楊彬;徐偉;李濤;吳易龍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖南紅太陽(yáng)光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 湖南兆弘專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 何文紅
地址 410205湖南省長(zhǎng)沙市高新開發(fā)區(qū)桐梓坡西路586號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多層非晶硅薄膜的制備方法及太陽(yáng)能電池，該制備方法包括：在低射頻功率和低加熱溫度、高的射頻功率和加熱溫度、更高射頻頻率的條件下，利用PECVD工藝依次在硅片表面沉積三層非晶硅薄膜。本發(fā)明多層非晶硅薄膜的制備方法，通過(guò)在硅片表面沉積功能不同的多層非晶硅薄膜，不僅能夠減少硅片表面或硅片表面超薄氧化硅薄膜的損傷，有利于提高硅片的少子壽命以及電池的轉(zhuǎn)化效率，而且能夠顯著提高非晶硅薄膜的沉積速率，減少鍍膜時(shí)間，有利于提高設(shè)備產(chǎn)能，具有產(chǎn)能高、生產(chǎn)工序少、生產(chǎn)能耗低等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)本發(fā)明制備方法還具有工藝簡(jiǎn)單、操作方便、易于控制等優(yōu)點(diǎn)，能夠直接利用現(xiàn)有設(shè)備進(jìn)行制備，適合性強(qiáng)，便于工業(yè)化利用。