一種保護(hù)膜的真空鍍膜方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410071761.6 申請日 -
公開（公告）號 CN103774143B 公開（公告）日 2015-12-30
申請公布號 CN103774143B 申請公布日 2015-12-30
分類號 C23C28/00(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C14/26(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 黃偉雄 申請（專利權(quán)）人 北京三重鏡業(yè)（大廠）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 東莞市華南專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 卞華欣
地址 523710 廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)科苑城工業(yè)園科苑8路7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及金屬膜上鍍保護(hù)膜的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種保護(hù)膜的真空鍍膜方法，包括以下制備步驟：步驟1：抽真空：將待鍍膜產(chǎn)品置于真空室，然后抽真空，同時加熱，使容器的上層形成水蒸氣；步驟2：鍍金屬膜：利用蒸發(fā)式鍍金屬膜的工藝鍍金屬膜；步驟3：鍍完金屬膜之后通空氣：關(guān)閉擴(kuò)散泵，打開分子?xùn)?，通過流量計(jì)向真空室充入空氣，并穩(wěn)定真空度保持0.2-1分鐘；步驟4：清潔金屬膜表面：啟動離子轟擊電源；步驟5：然后鍍保護(hù)膜：充入有機(jī)硅的液體蒸汽，并保持氣壓不變，再次啟動離子轟擊電源，使有機(jī)硅在金屬膜上逐層生長形成保護(hù)膜，具有生產(chǎn)效率高，成本低，保護(hù)膜致密性好，保護(hù)性能強(qiáng)，適用范圍廣的特點(diǎn)。