半導(dǎo)體制冷片及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010548662.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113809224A 公開（公告）日 2021-12-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN113809224A 申請(qǐng)公布日 2021-12-17
分類號(hào) H01L35/34（2006.01）I;H01L35/32（2006.01）I;F25B21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李永輝;李俊俏;周維 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 比亞迪汽車工業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 尚偉凈
地址 518118廣東省深圳市坪山新區(qū)比亞迪路3009號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了半導(dǎo)體制冷片及其制作方法。方法包括：提供半導(dǎo)體制冷組件，半導(dǎo)體制冷組件包括相對(duì)設(shè)置的第一絕緣導(dǎo)熱層和第二絕緣導(dǎo)熱層，位于第一絕緣導(dǎo)熱層和第二絕緣導(dǎo)熱層之間的半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層包括多個(gè)電偶對(duì)，多個(gè)電偶對(duì)串聯(lián)連接，且電偶對(duì)與導(dǎo)線電連接，半導(dǎo)體制冷組件設(shè)置有第一絕緣導(dǎo)熱層的一側(cè)為冷端，半導(dǎo)體制冷組件設(shè)置有第二絕緣導(dǎo)熱層的一側(cè)為熱端；形成封裝結(jié)構(gòu)，令封裝結(jié)構(gòu)覆蓋半導(dǎo)體制冷組件的側(cè)壁，并與第一絕緣導(dǎo)熱層構(gòu)成第一凹槽，令導(dǎo)線貫穿封裝結(jié)構(gòu)，并延伸至封裝結(jié)構(gòu)的外側(cè)，以獲得半導(dǎo)體制冷片。由此，獲得的半導(dǎo)體制冷片可承受1000PSI以上的壓力。