一種提高各向異性磁電阻磁阻率的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010651681.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111996493A 公開（公告）日 2020-11-27
申請公布號 CN111996493A 申請公布日 2020-11-27
分類號 C23C14/16(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 馮潤東;張文偉 申請（專利權(quán)）人 西安中科阿爾法電子科技有限公司
代理機構(gòu) 西安智邦專利商標代理有限公司 代理人 中國科學院西安光學精密機械研究所;西安中科阿爾法電子科技有限公司
地址 710119陜西省西安市高新區(qū)新型工業(yè)園信息大道17號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種提高各向異性磁電阻磁阻率的制備方法，解決現(xiàn)有磁電阻增加磁阻率的方式會增加生產(chǎn)周期、降低產(chǎn)能的問題。該提高各向異性磁電阻磁阻率的制備方法包括以下步驟：步驟一、清洗硅片，將干凈的硅片固定至濺射室的樣品盤上；步驟二、對濺射室抽高真空，當真空度在低于設(shè)定值時，通入氬氣；步驟三、打開高能離子源，高能離子源對硅片清洗進行，清洗完成后關(guān)閉高能離子源；步驟四、設(shè)定濺射功率，設(shè)置濺射的偏置電壓，設(shè)定濺射時間，保持濺射室的工作氣壓在設(shè)定值；步驟五、根據(jù)步驟四設(shè)定的參數(shù)，開始濺射NiFe，同時，再次打開高能離子源，使得高能離子源的離子束流照射至硅片。??