一種單晶硅鑄錠爐

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202021224934.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213327933U 公開（公告）日 2021-06-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN213327933U 申請(qǐng)公布日 2021-06-01
分類號(hào) C30B29/06（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳紅榮;孫庚昕;胡動(dòng)力;張華利 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 董建林
地址 221000江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)坡里路東、黃石路南
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種單晶硅鑄錠爐，包括由外而內(nèi)依次套接設(shè)置的爐體、隔熱籠和坩堝，在所述隔熱籠的內(nèi)部還設(shè)有加熱器所述坩堝四周側(cè)壁的外圍設(shè)有一圈石墨護(hù)板所述坩堝與所述石墨護(hù)板之間相隔3?20mm，在該間隙空間中設(shè)置一層保溫層。本實(shí)用新型通過在坩堝和石墨護(hù)板之間采用耐1600℃以上的纖維保溫材料制作的保溫層，能夠在單晶硅制作的熔化階段阻擋加熱器熱量的直接輻射，起到保護(hù)籽晶的效果，并且在長晶階段，起到對(duì)坩堝的保溫效果，減少側(cè)面多晶插入，提高單晶面積。??