鑄造單晶硅錠及其制備方法、鑄造單晶硅片及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010758499.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111876821A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-11-03 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111876821A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-03 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B11/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 周聲浪;張華利;胡動(dòng)力;原帥;游達(dá);周潔 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司 |
| 地址 | 221004江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)楊山路88號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種鑄造單晶硅錠及其制備方法、鑄造單晶硅片及其制備方法。鑄造單晶硅錠的制備方法包括如下步驟：在容器的底部鋪設(shè)回收單晶籽晶，形成單晶籽晶層；回收單晶籽晶自遠(yuǎn)離容器底部向靠近容器底部的方向?yàn)榈谝环较?，第一方向與回收單晶籽晶的原晶體生長(zhǎng)方向相同；在單晶籽晶層上裝硅料，加熱使硅料完全熔化、單晶籽晶層部分熔化，長(zhǎng)晶之后得到鑄造單晶硅錠。上述鑄造單晶硅錠的制備方法，在長(zhǎng)晶過(guò)程中改變了回收單晶籽晶中缺陷的生長(zhǎng)方向，利用回收單晶籽晶中已有缺陷引導(dǎo)后續(xù)缺陷向與之前相反的方向擴(kuò)展，實(shí)現(xiàn)了使用回收單晶籽晶生長(zhǎng)的鑄錠單晶硅錠的缺陷不再繼續(xù)沿原方向擴(kuò)展增殖，反而逐漸收窄甚至消失，提高了鑄造單晶硅錠的良率。?? |
