籽晶鋪設(shè)方法和單晶硅鑄造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110583418.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN113293434A 公開(kāi)(公告)日 2021-08-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN113293434A 申請(qǐng)公布日 2021-08-24
分類號(hào) C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 陳紅榮;孫庚昕;張華利;汪晨 申請(qǐng)(專利權(quán))人 江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 林青中
地址 221004江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)楊山路88號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種籽晶鋪設(shè)方法和單晶硅鑄造方法,該籽晶鋪設(shè)方法包括如下步驟:在鑄造容器底部鋪設(shè)多塊單晶籽晶,并將多塊單晶籽晶整體拼合為籽晶層,在側(cè)面相拼接的單晶籽晶中,相互接觸的兩個(gè)側(cè)面之間的晶向不同;多塊單晶籽晶包括至少一塊長(zhǎng)方形籽晶與多塊第一正方形籽晶,多塊第一正方形籽晶拼接形成整體呈正方形的基礎(chǔ)籽晶部,長(zhǎng)方形籽晶的長(zhǎng)邊與基礎(chǔ)籽晶部的側(cè)邊對(duì)齊拼接,長(zhǎng)方形籽晶長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度與基礎(chǔ)籽晶部側(cè)邊的長(zhǎng)度相等,長(zhǎng)方形籽晶的短邊長(zhǎng)度大于第一正方形籽晶的邊長(zhǎng)。該籽晶鋪設(shè)方法能夠在生長(zhǎng)的硅錠的最外圍形成犧牲區(qū)域,進(jìn)而通過(guò)舍去犧牲區(qū)域,提高了位于小方錠整體的良品率。