鑄錠單晶籽晶、鑄造單晶硅錠及其制備方法、鑄造單晶硅片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010673754.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111910248A 公開（公告）日 2020-11-10
申請公布號 CN111910248A 申請公布日 2020-11-10
分類號 C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉海;張華利;胡動力 申請（專利權(quán)）人 江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司
地址 221004江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)楊山路88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種鑄錠單晶籽晶及其制備方法、鑄造單晶硅錠及其制備方法、鑄造單晶硅片及其制備方法。鑄錠單晶籽晶內(nèi)摻雜有摻雜元素，摻雜元素的原子體積大于硅的原子體積，摻雜元素的摻雜濃度大于5×10^15個原子/立方厘米。應(yīng)用本發(fā)明技術(shù)方案的鑄錠單晶籽晶，由于摻雜元素的原子體積大于硅的原子體積，且摻雜元素的摻雜濃度大于5×10^15個原子/立方厘米，能夠在長晶之前熔化階段的熱處理過程中明顯抑制氧沉淀，以保持晶體結(jié)構(gòu)在熔化階段熱處理后的完美性，減少了位錯滋生，提高鑄錠良率和硅片效率，從而達(dá)到降本增效的目的。??