鑄造單晶的籽晶鋪設(shè)方法、鑄造單晶硅錠及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010615807.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111893556A | 公開（公告）日 | 2020-11-06 |
| 申請公布號 | CN111893556A | 申請公布日 | 2020-11-06 |
| 分類號 | C30B11/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 陳紅榮;胡動力;孫庚昕;宋亞飛;張華利 | 申請（專利權(quán)）人 | 江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司 |
| 地址 | 221004江蘇省徐州市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)楊山路88號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種鑄造單晶的籽晶鋪設(shè)方法、鑄造單晶硅錠及其制備方法。鑄造單晶的籽晶鋪設(shè)方法，包括如下步驟：在坩堝的底部鋪設(shè)若干個相互拼接的單晶籽晶，形成單晶籽晶層；單晶籽晶層包括至少一個單晶籽晶單元，單晶籽晶單元包括長方形單晶籽晶和至少兩個正方形單晶籽晶，至少兩個正方形單晶籽晶沿長方形單晶籽晶的長度方向排列且與長方形單晶籽晶拼接；長方形單晶籽晶的長度是正方形單晶籽晶的長度的n倍，n為整數(shù)且大于1；相鄰單晶籽晶之間相互接觸的側(cè)面晶向均不相同。上述籽晶鋪設(shè)方法，采用長方形單晶籽晶與正方形單晶籽晶相互拼接的方式，能夠在形成晶界的同時，減少了單晶籽晶之間的拼接縫隙，減少鑄造單晶的位錯，使得缺陷較少。?? |
