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    • 衛(wèi)光科技

    西安衛(wèi)光科技有限公司

    開業(yè)
    • 地址：西安市電子二路61號
    • 簡介：-
    • 商標信息 5
    • 專利信息 34
    • 軟件著作權 0
    • 作品著作權 0
    • 網(wǎng)站備案 0

    商標信息5

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 衛(wèi)光 - 8112727 商標已注冊 2010-03-11 查看
    2 WEIGUANG - 4759784 商標已注冊 2005-07-05 查看
    3 衛(wèi)光 - 4759782 商標已注冊 2005-07-05 查看
    4 衛(wèi)光 - 4759780 商標無效 2005-07-05 查看
    5 圖形 - 4759778 商標已注冊 2005-07-05 查看

    專利信息34

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種塑封高壓硅堆 發(fā)明專利 CN202010725718.2 CN111816647B 2022-06-07
    2 一種高結溫SiC陶瓷封裝硅堆外殼結構 發(fā)明專利 CN202010496801.7 CN111627864B 2022-06-07
    3 一種高頻高壓整流硅堆 實用新型 CN202121750308.X CN216120272U 2022-03-22
    4 一種整流硅橋結構 發(fā)明專利 CN202110867063.7 CN113572377A 2021-10-29
    5 一種60μm劃片槽的對位標記設計方法 發(fā)明專利 CN202110396935.6 CN113515018A 2021-10-19
    6 一種階梯柵介質層結構及其制造方法 發(fā)明專利 CN202110759730.X CN113506829A 2021-10-15
    7 一種MOSFET器件結構及制造方法 發(fā)明專利 CN202110758746.9 CN113506828A 2021-10-15
    8 一種雙向低壓平面瞬態(tài)電壓抑制二極管及其制造方法 發(fā)明專利 CN201810715738.4 CN108987458B 2021-09-17
    9 一種塑封高壓硅堆 發(fā)明專利 CN202010725718.2 CN111816647A 2020-10-23
    10 一種高結溫SiC陶瓷封裝硅堆外殼結構 發(fā)明專利 CN202010496801.7 CN111627864A 2020-09-04

    軟件著作權0

    暫無信息 暫無軟件著作權

    作品著作權0

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    暫無信息 暫無網(wǎng)站備案
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