圖像傳感器的形成方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111547475.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114156298A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114156298A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-08 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/146（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 鄭曉輝;張棟;范曉;李佳龍 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 張瑞;唐嘉 |
| 地址 | 214028江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)新洲路30號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種圖像傳感器的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底內(nèi)具有第一離子；在所述襯底內(nèi)形成若干深溝槽；在所述深溝槽內(nèi)形成摻雜外延層，所述摻雜外延層填充滿(mǎn)深溝槽，所述摻雜外延層內(nèi)具有第二離子，所述第二離子與所述第一離子的電學(xué)類(lèi)型不同，所述摻雜外延層包括第一區(qū)以及位于所述第一區(qū)上的第二區(qū)，所述第二區(qū)的側(cè)壁與所述第一區(qū)的側(cè)壁之間具有夾角；采用第一平坦化處理，去除所述第二區(qū)。通過(guò)在所述深溝槽內(nèi)形成所述摻雜外延層，摻雜外延層填充滿(mǎn)深溝槽；再采用第一平坦化處理，去除第二區(qū)。利用在形成摻雜外延層之后，采用第一平坦化處理將發(fā)生晶格位錯(cuò)的第二區(qū)進(jìn)行去除，進(jìn)而有效減少白噪聲的產(chǎn)生，以提升最終形成的圖像傳感器的性能。 |
