一種金屬焊盤(pán)結(jié)構(gòu)及其工藝方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201711082639.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109755201B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-05-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109755201B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-17 |
| 分類號(hào) | H01L23/488（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 呂宇強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇帝奧微電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京睿智保誠(chéng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 226017 江蘇省南通市崇州大道60號(hào)南通創(chuàng)新區(qū)紫瑯科技城8號(hào)樓6層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種金屬焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，包括襯底、填充介質(zhì)、金屬前介電層、頂層金屬層及焊球體，襯底表面形成溝槽，填充介質(zhì)設(shè)于溝槽中，金屬前介電層設(shè)于填充介質(zhì)與襯底之上，頂層金屬層設(shè)于金屬前介電層之上，焊球體則是設(shè)于頂層金屬層之上；制程方法是先在襯底表面熱生長(zhǎng)初始氧化層，之后進(jìn)行光刻及蝕刻以形成溝槽，并在硅襯底表面及溝槽的側(cè)壁與底部熱生長(zhǎng)過(guò)渡層以及沉積填充介質(zhì)，在襯底及填充介質(zhì)上沉積多層介電層及金屬層，在介電層中光刻出接觸孔并且填充金屬，沉積頂層金屬層以及鈍化層且進(jìn)行光刻及蝕刻，最后在頂層金屬層上形成鉛錫焊球。 |
