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    • 上硅中試

    上海上硅中試基地科技有限公司

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    • 地址：嘉定區(qū)城北路215號(hào)
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    • 專利信息 211
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    商標(biāo)信息0

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    專利信息211

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 一種射線純碘化鈉粉體及制備方法 發(fā)明專利 CN201910374118.3 CN110040749B 2022-03-08
    2 一種有機(jī)/無機(jī)復(fù)合閃爍體及其制備方法 發(fā)明專利 CN202010857472.4 CN114085430A 2022-02-25
    3 一種強(qiáng)吸電子元素?fù)诫s稀土正硅酸鹽閃爍材料及其制備方法和應(yīng)用 發(fā)明專利 CN202011280944.0 CN112390278B 2022-02-08
    4 模子固定頂夾 實(shí)用新型 CN202121474461.4 CN215393283U 2022-01-04
    5 貴金屬板的多重下壓單元 實(shí)用新型 CN202121473331.9 CN215393282U 2022-01-04
    6 貴金屬板的激光焊接裝置 實(shí)用新型 CN202121474465.2 CN215393167U 2022-01-04
    7 一種高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷材料及其制備方法 發(fā)明專利 CN202011043063.7 CN112159237B 2021-10-01
    8 一種提高氮化硅陶瓷基板材料熱導(dǎo)率和力學(xué)性能的硅熱還原方法 發(fā)明專利 CN202011043054.8 CN112142476B 2021-10-01
    9 一種提高氮化硅陶瓷基板材料熱導(dǎo)率和力學(xué)性能的硅熱還原方法 發(fā)明專利 CN202011043054.8 CN112142476A 2021-10-01
    10 一種基于聚四氟乙烯粘結(jié)劑的水系離子電池的極片成型方法 發(fā)明專利 CN201611148240.1 CN108232195B 2021-08-31

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