達(dá)新
上海達(dá)新半導(dǎo)體有限公司
存續(xù)商標(biāo)信息0
專利信息6
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 場終止型功率器件的制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201810003581.2 | CN109994544A | 2019-07-09 |
2 | 半導(dǎo)體功率器件的終端結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201510845704.3 | CN106803515A | 2017-06-06 |
3 | MOSFET功率器件的終端結(jié)構(gòu) | 實用新型 | CN201420050226.8 | CN203707142U | 2014-07-09 |
4 | MOSFET功率器件的終端結(jié)構(gòu) | 實用新型 | CN201420066958.6 | CN203707138U | 2014-07-09 |
5 | 絕緣柵雙極晶體管及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201410055323.0 | CN103855206A | 2014-06-11 |
6 | MOS柵極器件的制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201410074718.5 | CN103855034A | 2014-06-11 |
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