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    • 達(dá)新

    上海達(dá)新半導(dǎo)體有限公司

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    • 地址：上海市楊浦區(qū)國(guó)泰路11號(hào)1層展示廳A187室
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    專利信息6

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 場(chǎng)終止型功率器件的制造方法 發(fā)明專利 CN201810003581.2 CN109994544A 2019-07-09
    2 半導(dǎo)體功率器件的終端結(jié)構(gòu)及其制造方法 發(fā)明專利 CN201510845704.3 CN106803515A 2017-06-06
    3 MOSFET功率器件的終端結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN201420050226.8 CN203707142U 2014-07-09
    4 MOSFET功率器件的終端結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN201420066958.6 CN203707138U 2014-07-09
    5 絕緣柵雙極晶體管及其制造方法 發(fā)明專利 CN201410055323.0 CN103855206A 2014-06-11
    6 MOS柵極器件的制造方法 發(fā)明專利 CN201410074718.5 CN103855034A 2014-06-11

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